{"id":22766,"date":"2024-10-22T04:24:09","date_gmt":"2024-10-22T07:24:09","guid":{"rendered":"https:\/\/ocanal.com\/noticias\/corporativas\/kioxia-revelara-tecnologias-de-memoria-emergentes-na-iedm-2024\/"},"modified":"2024-10-22T04:24:09","modified_gmt":"2024-10-22T07:24:09","slug":"kioxia-revelara-tecnologias-de-memoria-emergentes-na-iedm-2024","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ocanal.com\/noticias\/corporativas\/kioxia-revelara-tecnologias-de-memoria-emergentes-na-iedm-2024\/","title":{"rendered":"Kioxia revelar\u00e1 tecnologias de mem\u00f3ria emergentes na IEDM 2024"},"content":{"rendered":"

\nA Kioxia Corporation<\/a>, l\u00edder mundial em solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria, anunciou hoje que artigos cient\u00edficos da empresa foram aceitos para serem apresentados na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, Encontro Internacional de Dispositivos Eletr\u00f4nicos) 2024, uma confer\u00eancia internacional de prest\u00edgio que acontecer\u00e1 em S\u00e3o Francisco, Estados Unidos, de 7 a 11<\/sup>de dezembro.\n<\/p>\n

Este comunicado de imprensa inclui multim\u00e9dia. Veja o comunicado completo aqui: https:\/\/www.businesswire.com\/news\/home\/20241021096546\/pt\/<\/a><\/p>\n

\"Memory<\/p>\n

Memory Hierarchy (Graphic: Business Wire)<\/p>\n<\/div>\n

\nA Kioxia est\u00e1 empenhada na pesquisa e desenvolvimento de mem\u00f3ria semicondutora, indispens\u00e1vel para o avan\u00e7o da IA e da transforma\u00e7\u00e3o digital da sociedade. Al\u00e9m de sua tecnologia de mem\u00f3ria flash tridimensional (3D) de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o BiCS FLASH\u2122, a Kioxia se destaca em pesquisa de solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria emergentes. A empresa se esfor\u00e7a constantemente para atender \u00e0s necessidades dos futuros sistemas de computa\u00e7\u00e3o e armazenamento com produtos de mem\u00f3ria inovadores.\n<\/p>\n

\nOs sistemas computacionais existentes tiram proveito da DRAM, um dispositivo de mem\u00f3ria prim\u00e1ria que permiteàCPU processar dados rapidamente, juntamente com a mem\u00f3ria flash, para o armazenamento de dados extensos. A Kioxia lidera a pesquisa e o desenvolvimento em mem\u00f3ria de classe de armazenamento (SCM), uma solu\u00e7\u00e3o de mem\u00f3ria posicionada entre a DRAM e a mem\u00f3ria flash na hierarquia de mem\u00f3ria semicondutora, desenvolvida para lidar com volumes de dados maiores que a DRAM e em velocidade maior que a mem\u00f3ria flash.\n<\/p>\n

\nNa IEDM, a Kioxia pretende revelar tecnologias de ponta adaptadas a cada uma dessas tr\u00eas camadas de mem\u00f3ria semicondutora: (1) um novo tipo de DRAM que utiliza semicondutores a base de \u00f3xido com foco na redu\u00e7\u00e3o do consumo de energia, (2) MRAM adequada para maiores capacidades para aplica\u00e7\u00e3o SCM e (3) uma nova estrutura de mem\u00f3ria flash 3D com densidade de bits e desempenho superiores.\n<\/p>\n

\nTecnologias de mem\u00f3ria emergentes:\n<\/p>\n

1. Transistor DRAM de canal \u00f3xido-semicondutor (OCTRAM)<\/b>: esta tecnologia foi desenvolvida pela Nanya Technology e Kioxia Corporation. As empresas desenvolveram um transistor vertical que melhora a integra\u00e7\u00e3o do circuito ao aprimorar o processo de fabrica\u00e7\u00e3o. As empresas obtiveram fugas de corrente extremamente baixas ao destacar as propriedades do transistor com o uso de um \u00f3xido-semicondutor. Isso pode baixar potencialmente o consumo de energia em in\u00fameras aplica\u00e7\u00f5es, incluindo a IA e sistemas de comunica\u00e7\u00e3o p\u00f3s-5G e produtos de IoT.\n<\/p>\n

\nT\u00edtulo do artigo: Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) 4F2 Architecture<\/a> (Arquitetura de DRAM de Transistor de Canal de \u00d3xido-semicondutor (OCTRAM) 4F2) (N\u00famero do artigo: 6-1)\n<\/p>\n

2. Tecnologia de MRAM crosspoint de alta capacidade<\/b>: esta tecnologia foi desenvolvida pela SK hynix Inc. e Kioxia Corporation. Com esta tecnologia, as empresas alcan\u00e7aram a opera\u00e7\u00e3o de leitura\/grava\u00e7\u00e3o de c\u00e9lulas na menor escala de meio passo de c\u00e9lula de 20,5 nan\u00f4metros para MRAM ao combinar a tecnologia de c\u00e9lula que combina seletores adequados para grandes capacidades com as jun\u00e7\u00f5es de t\u00fanel magn\u00e9tico e tecnologia de processamento fino aplicada \u00e0s matrizes do tipo crosspoint. A confiabilidade da mem\u00f3ria tende a se degradaràmedida que as c\u00e9lulas s\u00e3o miniaturizadas. As empresas desenvolveram uma solu\u00e7\u00e3o potencial ao utilizar um novo m\u00e9todo de leitura que intensifica a resposta transit\u00f3ria dos seletores e reduz a capacit\u00e2ncia parasita dos circuitos de leitura. Esta tecnologia tem aplica\u00e7\u00f5es pr\u00e1ticas para IA e processamento de big data (grandes dados).\n<\/p>\n

\nT\u00edtulo do artigo: Reliable memory operation with low read disturb rate in the world smallest 1Selector-1MTJ cell for 64 Gb cross-point MRAM<\/a> (Opera\u00e7\u00e3o de mem\u00f3ria confi\u00e1vel com baixa taxa de perturba\u00e7\u00e3o de leitura na menor c\u00e9lula 1Selector-1MTJ do mundo para MRAM cross-point de 64 Gb) (N\u00famero do artigo: 20-1)\n<\/p>\n

3. Tecnologia de mem\u00f3ria 3D de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o com estrutura de empilhamento de c\u00e9lulas horizontais<\/b>: a Kioxia desenvolveu uma nova estrutura 3D para aprimorar a confiabilidade e evitar a degrada\u00e7\u00e3o do desempenho das c\u00e9lulas do tipo NAND. A degrada\u00e7\u00e3o do desempenho geralmente ocorre quando o n\u00famero de camadas empilhadas aumenta em estruturas convencionais. A nova estrutura organiza as c\u00e9lulas do tipo NAND horizontalmente, empilhando-as, quando comparadas com a estrutura convencional de c\u00e9lulas do tipo NAND que s\u00e3o dispostas verticalmente. Esta estrutura permite a implementa\u00e7\u00e3o de mem\u00f3ria flash 3D com alta densidade de bits e confiabilidade a baixo custo.\n<\/p>\n

\nT\u00edtulo do artigo: Superior Scalability of Advanced Horizontal Channel Flash For Future Generations of 3D Flash Memory<\/a> (Escalabilidade superior de flash de canal horizontal avan\u00e7ado para futuras gera\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria flash 3D) (N\u00famero do artigo: 30-1)\n<\/p>\n

\nPara mais detalhes sobre a IEDM, acesse: https:\/\/www.ieee-iedm.org\/<\/a><\/p>\n

\nConforme o escopo de sua miss\u00e3o de \u201celevar o mundo com “mem\u00f3ria”\u201d, a Kioxia pretende ser pioneira em uma nova era com tecnologia de mem\u00f3ria e continuar\u00e1 a promover a pesquisa e desenvolvimento tecnol\u00f3gico para oferecer suporte ao futuro da sociedade digital.\n<\/p>\n

\n###\n<\/p>\n

\nEste an\u00fancio foi preparado para oferecer informa\u00e7\u00f5es sobre nossos neg\u00f3cios e n\u00e3o constitui ou faz parte de uma oferta ou convite para vender ou uma solicita\u00e7\u00e3o de uma oferta para compra, subscri\u00e7\u00e3o ou aquisi\u00e7\u00e3o de quaisquer t\u00edtulos em qualquer jurisdi\u00e7\u00e3o ou um incentivo para se envolver em atividades de investimento, nem deve formar a base ou ser invocado em conex\u00e3o com qualquer contrato deste tipo.\n<\/p>\n

\nAs informa\u00e7\u00f5es neste documento, incluindo os pre\u00e7os e especifica\u00e7\u00f5es de produtos, conte\u00fado de servi\u00e7os e informa\u00e7\u00f5es de contato, est\u00e3o corretas na data do an\u00fancio, mas est\u00e3o sujeitas a altera\u00e7\u00f5es sem aviso pr\u00e9vio.\n<\/p>\n

Sobre a Kioxia<\/b><\/p>\n

\nA Kioxia \u00e9 l\u00edder mundial em solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria, dedicada ao desenvolvimento, produ\u00e7\u00e3o e venda de mem\u00f3ria flash e unidades de estado s\u00f3lido (SSD). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrado da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a mem\u00f3ria flash NAND em 1987. A Kioxia est\u00e1 comprometida em melhorar o mundo com suas mem\u00f3rias, oferecendo produtos, servi\u00e7os e sistemas que criam op\u00e7\u00f5es para os clientes e valor baseado na mem\u00f3ria para a sociedade. A inovadora tecnologia de mem\u00f3ria flash 3D da Kioxia, chamada BiCS FLASH\u2122, est\u00e1 moldando o futuro do armazenamento em aplicativos de alta densidade, incluindo smartphones avan\u00e7ados, PCs, SSD, ind\u00fastria automotiva e data centers.\n<\/p>\n

\nO texto no idioma original deste an\u00fancio \u00e9 a vers\u00e3o oficial autorizada. As tradu\u00e7\u00f5es s\u00e3o fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que \u00e9 a \u00fanica vers\u00e3o do texto que tem efeito legal.\n<\/p>\n

\"\"<\/span><\/p>\n

Ver a vers\u00e3o original em businesswire.com: <\/span>https:\/\/www.businesswire.com\/news\/home\/20241021096546\/pt\/<\/a><\/span><\/p>\n

Contato:<\/b><\/p>\n

\nKota Yamaji\n<\/p>\n

Rela\u00e7\u00f5es p\u00fablicas\n<\/p>\n

Kioxia Corporation\n<\/p>\n

+81-3-6478-2319\n<\/p>\n

kioxia-hd-pr@kioxia.com<\/a><\/p>\n

Fonte: <\/strong>BUSINESS WIRE<\/a>\"\"<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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