{"id":25079,"date":"2024-12-11T06:34:21","date_gmt":"2024-12-11T09:34:21","guid":{"rendered":"https:\/\/ocanal.com\/noticias\/corporativas\/kioxia-desenvolve-a-tecnologia-octram-oxide-semiconductor-channel-transistor-dram\/"},"modified":"2024-12-11T06:34:21","modified_gmt":"2024-12-11T09:34:21","slug":"kioxia-desenvolve-a-tecnologia-octram-oxide-semiconductor-channel-transistor-dram","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ocanal.com\/noticias\/corporativas\/kioxia-desenvolve-a-tecnologia-octram-oxide-semiconductor-channel-transistor-dram\/","title":{"rendered":"Kioxia desenvolve a tecnologia OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)"},"content":{"rendered":"

\nA Kioxia Corporation<\/a>, l\u00edder mundial em solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria, anunciou hoje o desenvolvimento da OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), um novo tipo de DRAM 4F2<\/sup>, composta por um transistor semicondutor de \u00f3xido que tem uma alta corrente ON e uma corrente OFF ultrabaixa, simultaneamente. Espera-se que essa tecnologia produza uma DRAM de baixo consumo de energia, trazendoàtona a propriedade de vazamento ultrabaixo do transistor InGaZnO*1<\/sup>. Isso foi anunciado pela primeira vez na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em S\u00e3o Francisco, CA, em 9 de dezembro de 2024. Essa conquista foi desenvolvida em conjunto pela Nanya Technology e pela Kioxia Corporation. Essa tecnologia tem o potencial de reduzir o consumo de energia em uma ampla gama de aplica\u00e7\u00f5es, incluindo sistemas de comunica\u00e7\u00e3o AI e p\u00f3s-5G e produtos IoT.<\/p>\n

Este comunicado de imprensa inclui multim\u00e9dia. Veja o comunicado completo aqui: https:\/\/www.businesswire.com\/news\/home\/20241209763400\/pt\/<\/a><\/p>\n

\"Fig.1:<\/p>\n

Fig.1: Cross-sectional TEM image for the InGaZnO vertical transistor (Photo: Business Wire)<\/p>\n<\/div>\n

\nO OCTRAM utiliza um transistor vertical InGaZnO em forma de cilindro (Fig. 1) como um transistor de c\u00e9lula. Esse design permite a adapta\u00e7\u00e3o de uma DRAM 4F2<\/sup>, que oferece vantagens significativas na densidade de mem\u00f3ria em compara\u00e7\u00e3o com a DRAM 6F2<\/sup> convencional baseada em sil\u00edcio.<\/p>\n

\nO transistor vertical InGaZnO atinge uma alta corrente ON de mais de 15\u03bcA\/c\u00e9lula (1,5 x 10-5<\/sup> A\/c\u00e9lula) e uma corrente OFF ultrabaixa abaixo de 1aA\/c\u00e9lula (1,0 x 10-18<\/sup> A\/c\u00e9lula) por meio da otimiza\u00e7\u00e3o do dispositivo e do processo (Fig. 2). Na estrutura do OCTRAM, o transistor vertical de InGaZnO \u00e9 integrado em cima de um capacitor de alta propor\u00e7\u00e3o (processo capacitor-first). Esse arranjo permite o desacoplamento da intera\u00e7\u00e3o entre o processo avan\u00e7ado do capacitor e o desempenho do InGaZnO (Fig. 3).<\/p>\n

\n*1: InGaZnO \u00e9 um composto de In(\u00edndio), Ga(g\u00e1lio), Zn(zinco) e O(oxig\u00eanio)<\/p>\n