{"id":61042,"date":"2026-07-03T05:51:57","date_gmt":"2026-07-03T08:51:57","guid":{"rendered":"https:\/\/ocanal.com\/noticias\/corporativas\/kioxia-inicia-envio-de-amostras-de-dispositivos-bics-flash-de-10a-geracao-oferecendo-alto-desempenho-alta-capacidade-e-baixo-consumo-de-energia\/"},"modified":"2026-07-03T05:51:57","modified_gmt":"2026-07-03T08:51:57","slug":"kioxia-inicia-envio-de-amostras-de-dispositivos-bics-flash-de-10a-geracao-oferecendo-alto-desempenho-alta-capacidade-e-baixo-consumo-de-energia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ocanal.com\/noticias\/corporativas\/kioxia-inicia-envio-de-amostras-de-dispositivos-bics-flash-de-10a-geracao-oferecendo-alto-desempenho-alta-capacidade-e-baixo-consumo-de-energia\/","title":{"rendered":"Kioxia inicia envio de amostras de dispositivos BiCS FLASH\u2122 de 10\u00aa gera\u00e7\u00e3o, oferecendo alto desempenho, alta capacidade e baixo consumo de energia"},"content":{"rendered":"<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nA <a href=\"https:\/\/cts.businesswire.com\/ct\/CT?id=smartlink&amp;url=https%3A%2F%2Fwww.kioxia.com%2Fen-jp%2Ftop.html&amp;esheet=54563807&amp;newsitemid=20260702948899&amp;lan=pt-BR&amp;anchor=Kioxia+Corporation&amp;index=1&amp;md5=12fba32995ff0e48dc269c4298648b34\" rel=\"follow\" shape=\"rect\" target=\"_blank\">Kioxia Corporation<\/a>, l\u00edder mundial em solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria, anunciou hoje o in\u00edcio do envio de amostras de dispositivos de mem\u00f3ria Triple-Level-Cell (TLC) de 1 Tb (terabit) utilizando sua tecnologia de mem\u00f3ria flash 3D BiCS FLASH\u2122 de 10\u00aa gera\u00e7\u00e3o.<sup>1<\/sup> Esses dispositivos ser\u00e3o integrados principalmente aos SSDs corporativos e de data center da empresa, fortalecendo a linha de produtos da Kioxia para atender &agrave; crescente demanda por armazenamento de IA, que exige maior desempenho, maior capacidade e menor consumo de energia. Esses novos produtos ser\u00e3o fabricados utilizando equipamentos de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o na f\u00e1brica Fab2 da Kioxia em Kitakami, na prov\u00edncia de Iwate, Jap\u00e3o.<\/p>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nAproveitando as inovadoras tecnologias CMOS Directly Bonded to Array (CBA)<sup>2<\/sup> e On-Pitch Select Gate Drain (OPS)<sup>3<\/sup>, ambas adotadas desde a 8\u00aa gera\u00e7\u00e3o do BiCS FLASH\u2122, a tecnologia de 10\u00aa gera\u00e7\u00e3o atinge uma velocidade de interface NAND de 4,8 Gb\/s<sup>4<\/sup>, um aumento de 33% em rela\u00e7\u00e3o &agrave; 8\u00aa gera\u00e7\u00e3o. A densidade de bits aumentou 59% com o empilhamento de 332 camadas e a melhoria da densidade lateral. Al\u00e9m disso, a efici\u00eancia energ\u00e9tica de leitura e grava\u00e7\u00e3o melhorou 18% e 30%, respectivamente<sup>5<\/sup>, contribuindo para a redu\u00e7\u00e3o do consumo de energia em data centers e infraestrutura corporativa.<\/p>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nSob sua estrat\u00e9gia exclusiva de eixo duplo, a Kioxia est\u00e1 avan\u00e7ando simultaneamente duas linhas de produtos distintas: suas solu\u00e7\u00f5es de 9\u00aa gera\u00e7\u00e3o, que oferecem alto desempenho com um custo de investimento relativamente baixo, e sua tecnologia de 10\u00aa gera\u00e7\u00e3o, que utiliza empilhamento de camadas avan\u00e7ado para alcan\u00e7ar capacidade massiva e desempenho superior.<\/p>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nGuiada por sua miss\u00e3o de &#8220;elevar o mundo com &#8216;mem\u00f3ria'&#8221;, a Kioxia permanece comprometida em impulsionar a inova\u00e7\u00e3o tecnol\u00f3gica, fortalecer parcerias globais e fornecer as solu\u00e7\u00f5es de armazenamento avan\u00e7adas que alimentam a infraestrutura moderna de IA.<\/p>\n<ol class=\"bwlistdecimal\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\n<li>\nEstas amostras s\u00e3o para fins de verifica\u00e7\u00e3o funcional e as especifica\u00e7\u00f5es das amostras podem diferir na produ\u00e7\u00e3o em massa.<\/p>\n<\/li>\n<li>\nTecnologia na qual cada wafer CMOS e wafer de matriz de c\u00e9lulas s\u00e3o fabricados separadamente em suas condi\u00e7\u00f5es otimizadas e, em seguida, unidos.<\/p>\n<\/li>\n<li>\nTecnologia que possibilita encurtar a linha de bits e reduzir a capacit\u00e2ncia da linha de palavras, removendo buracos de mem\u00f3ria n\u00e3o utilizados.<\/p>\n<\/li>\n<li>\n1 Gb\/s \u00e9 calculado como 1.000.000.000 bits\/segundo. Este valor \u00e9 obtido em um ambiente de teste espec\u00edfico na Kioxia Corporation e pode variar dependendo das condi\u00e7\u00f5es de uso.<\/p>\n<\/li>\n<li>\nA efici\u00eancia energ\u00e9tica durante a transfer\u00eancia de dados tamb\u00e9m foi inclu\u00edda.<\/p>\n<\/li>\n<\/ol>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nObserva\u00e7\u00f5es:<\/p>\n<ul class=\"bwlistdisc\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\n<li>\nA densidade do produto \u00e9 identificada com base na densidade do(s) chip(s) de mem\u00f3ria dentro do produto, e n\u00e3o na quantidade de capacidade de mem\u00f3ria dispon\u00edvel para armazenamento de dados pelo usu\u00e1rio final. A capacidade utiliz\u00e1vel pelo consumidor ser\u00e1 menor devido \u00e0s \u00e1reas de dados adicionais, formata\u00e7\u00e3o, blocos defeituosos e outras limita\u00e7\u00f5es, podendo tamb\u00e9m variar de acordo com o dispositivo host e o aplicativo. Para obter detalhes, consulte as especifica\u00e7\u00f5es aplic\u00e1veis \u200b\u200bdo produto. 1 Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits.<\/p>\n<\/li>\n<li>\nAs velocidades de leitura e grava\u00e7\u00e3o s\u00e3o os melhores valores obtidos em um ambiente de teste espec\u00edfico na Kioxia Corporation; a empresa n\u00e3o garante as velocidades de leitura ou grava\u00e7\u00e3o em dispositivos individuais. As velocidades de leitura e grava\u00e7\u00e3o podem variar dependendo do dispositivo utilizado.<\/p>\n<\/li>\n<li>\nNomes de empresas, nomes de produtos e nomes de servi\u00e7os podem ser marcas registradas de suas respectivas empresas.<br \/>\n<\/li>\n<\/ul>\n<ul class=\"bwlistdisc bwmarginl2\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\n<li>\nEste comunicado foi preparado para fornecer informa\u00e7\u00f5es sobre nossos neg\u00f3cios e n\u00e3o constitui ou faz parte de uma oferta ou convite para vender ou uma solicita\u00e7\u00e3o de oferta para comprar ou subscrever ou adquirir de qualquer outra forma quaisquer t\u00edtulos em qualquer jurisdi\u00e7\u00e3o ou um incentivo para se envolver em atividades de investimento, nem dever\u00e1 servir de base ou ser considerado em rela\u00e7\u00e3o a qualquer contrato.<\/p>\n<\/li>\n<li>\nAs informa\u00e7\u00f5es contidas neste documento, incluindo pre\u00e7os e especifica\u00e7\u00f5es de produtos, conte\u00fado dos servi\u00e7os e informa\u00e7\u00f5es de contato, est\u00e3o corretas na data do comunicado, mas est\u00e3o sujeitas a altera\u00e7\u00f5es sem aviso pr\u00e9vio.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\"><b>Sobre a Kioxia<\/b><\/p>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nA Kioxia \u00e9 uma l\u00edder mundial em solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria, dedicada ao desenvolvimento, produ\u00e7\u00e3o e venda de mem\u00f3ria flash e unidades de estado s\u00f3lido (SSDs). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a mem\u00f3ria flash NAND em 1987. A Kioxia est\u00e1 comprometida em elevar o mundo com \u201cmem\u00f3ria\u201d, oferecendo produtos, servi\u00e7os e sistemas que criam op\u00e7\u00f5es para os clientes e valor baseado em mem\u00f3ria para a sociedade. A inovadora tecnologia de mem\u00f3ria flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH\u2122, est\u00e1 moldando o futuro do armazenamento em aplica\u00e7\u00f5es de alta densidade, incluindo smartphones avan\u00e7ados, PCs, sistemas automotivos, data centers e sistemas de IA generativa.<\/p>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\">\nO texto no idioma original deste an\u00fancio \u00e9 a vers\u00e3o oficial autorizada. As tradu\u00e7\u00f5es s\u00e3o fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que \u00e9 a \u00fanica vers\u00e3o do texto que tem efeito legal.<\/p>\n<p xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\"><img decoding=\"async\" alt=\"\" src=\"https:\/\/cts.businesswire.com\/ct\/CT?id=bwnews&amp;sty=20260702948899r1&amp;sid=brdno&amp;distro=ftp\"><span class=\"bwct31415\"><\/span><\/p>\n<p id=\"mmgallerylink\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/1999\/xhtml\"><span id=\"mmgallerylink-phrase\">Ver a vers\u00e3o original em businesswire.com: <\/span><span id=\"mmgallerylink-link\"><a href=\"https:\/\/www.businesswire.com\/news\/home\/20260702948899\/pt\/\" rel=\"follow\" target=\"_blank\">https:\/\/www.businesswire.com\/news\/home\/20260702948899\/pt\/<\/a><\/span><\/p>\n<p><b>Contato:<\/b><\/p>\n<p>\nKota Yamaji\n<\/p>\n<p>Rela\u00e7\u00f5es P\u00fablicas\n<\/p>\n<p>Kioxia Holdings Corporation\n<\/p>\n<p>+81-3-6478-2319\n<\/p>\n<p><a href=\"mailto:kioxia-hd-pr@kioxia.com\" rel=\"follow\" shape=\"rect\">kioxia-hd-pr@kioxia.com<\/a><\/p>\n<p><strong>Fonte: <\/strong><a href='http:\/\/www.businesswire.com\/portal\/site\/home\/' target='_blank'>BUSINESS WIRE<\/a><img src='https:\/\/api.dino.com.br\/v2\/news\/tr\/333486?partnerId=3197' alt=\"\" style=\"border:0px;width:1px;height:1px;\" \/><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>A Kioxia Corporation, l\u00edder mundial em solu\u00e7\u00f5es de mem\u00f3ria, anunciou hoje o in\u00edcio do envio de amostras de dispositivos de mem\u00f3ria Triple-Level-Cell (TLC) de 1 Tb (terabit) utilizando sua tecnologia de mem\u00f3ria flash 3D BiCS FLASH\u2122 de 10\u00aa gera\u00e7\u00e3o.1 Esses dispositivos ser\u00e3o integrados principalmente aos SSDs corporativos e de data center da empresa, fortalecendo a [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":3,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[5],"tags":[],"class_list":["post-61042","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-noticias"],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v27.3 - 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